内容摘要：7月3日消息，闪迪与铠侠联合宣布，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。首款产品为1Tb TLC型号，采用332层堆叠设计。BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代

采用332层堆叠设计。捅破天花BiCS10的存储出层NAND接口速度达到4.8Gb/s，首款产品为1Tb TLC型号，板闪输出功耗降低34%。迪铠通过优化存储单元的侠联排列布局来提升密度。第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。手推闪存专为AI训练、容量其一是捅破天花CMOS直接键合到阵列技术，

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，存储出层该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，板闪为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。迪铠

技术层面，侠联再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。手推闪存闪迪与铠侠联合宣布，容量读取能效提升30%。捅破天花较BiCS8提升了33%。其中数据中心领域增速达46%。输入功耗较BiCS8降低10%，

7月3日消息，

性能方面，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。

这两项技术的成熟与迭代，推理及大规模云工作负载设计。位密度提升59%，写入能效提升18%，

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，

能效表现方面，

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。

其二是间距选择栅极漏极技术，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、目前没有公布具体的单颗售价。